CXMT revendique une avancée sur la cellule mémoire 4F² et prépare de la DRAM serveur pour fin 2026

Le fabricant chinois de mémoire CXMT a annoncé une « avancée clé » dans le développement de l'architecture de cellule 4F², qui augmente la densité mémoire. Le président de l'entreprise, Cao Kanyu, a annoncé lors d'un événement industriel à Shanghai (12 octobre) des plans pour lancer un produit DRAM serveur basé sur cette technologie d'ici fin 2026. C'est un axe de développement sur lequel travaillent également les concurrents mondiaux Samsung Electronics et SK Hynix. • L'architecture 4F² signifie que chaque cellule occupe une surface de quatre carrés F, où F représente la largeur minimale d'une ligne semi-conductrice • Une densité élevée permet de placer davantage de cellules sur une même puce, réduisant le coût de la mémoire et améliorant l'efficacité énergétique • CXMT prévoit de commercialiser cette technologie dans un produit DRAM serveur d'ici la fin de l'année en cours

Traité par IA depuis SCMP Tech ; édité par Hamidun News
CXMT revendique une avancée sur la cellule mémoire 4F² et prépare de la DRAM serveur pour fin 2026
Source : SCMP Tech. Collage: Hamidun News.
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Chiffre clé #1L'architecture 4F² signifie que chaque cellule occupe une surface de quatre carrés F, où F représente la largeur minimale d'une ligne semi-conductrice
Chiffre clé #2Une densité élevée permet de placer davantage de cellules sur une même puce, réduisant le coût de la mémoire et améliorant l'efficacité énergétique
Chiffre clé #3CXMT prévoit de commercialiser cette technologie dans un produit DRAM serveur d'ici la fin de l'année en cours

Le fabricant chinois de mémoire ChangXin Memory Technologies (CXMT) a annoncé une « avancée clé » dans le développement d'une nouvelle architecture de cellule mémoire visant à augmenter la densité de stockage sur puce. L'annonce a été faite par le président de l'entreprise, Cao Kanyu, lors d'un événement industriel à Shanghai le 12 octobre 2026.

C'est un axe de développement sur lequel travaillent également les leaders mondiaux du marché de la mémoire, Samsung Electronics et SK Hynix, ce qui souligne l'intensification de la concurrence dans un secteur critique pour l'infrastructure numérique.

La technologie 4F² : une architecture d'avenir

Au cœur de ce développement se trouve l'architecture « 4F square » (4F²). Le principe de cette technologie est le suivant : chaque cellule mémoire occupe une surface équivalente à quatre carrés F, où F désigne la largeur minimale d'une ligne semi-conductrice. Ce paramètre définit le procédé technologique de fabrication et détermine les proportions de toutes les autres dimensions sur la puce.

Augmenter la densité mémoire grâce à des architectures de cellules innovantes est l'un des leviers essentiels pour les fabricants qui cherchent à progresser en performance tout en réduisant les coûts de production. Un plus grand nombre de cellules sur une même puce signifie plus de mémoire sans augmentation proportionnelle de la surface de la puce. Résultat : une mémoire moins chère par unité d'information et une meilleure efficacité énergétique du système.

Commercialisation de la DRAM serveur d'ici fin 2026

CXMT prévoit de lancer un nouveau produit DRAM serveur basé sur l'architecture 4F² d'ici fin 2026. La DRAM serveur est un composant critique pour les centres de données cloud et les infrastructures d'entreprise à travers le monde.

Une mise en œuvre réussie par CXMT dans un produit commercial pourrait considérablement modifier le paysage concurrentiel du marché de la mémoire. Samsung Electronics et SK Hynix, leaders actuels de l'industrie, travaillent également sur la même vague d'innovation en matière de densité mémoire. Cependant, la première sortie réussie d'un produit commercial pourrait donner à CXMT un avantage tactique et accroître sa part de marché dans le segment critique de la mémoire serveur pour les infrastructures cloud et d'entreprise.

Questions clés sur cet article

Que sait-on sur La technologie 4F² : une architecture d'avenir ?

Au cœur de ce développement se trouve l'architecture « 4F square » (4F²). Le principe de cette technologie est le suivant : chaque cellule mémoire occupe une surface équivalente à quatre carrés F, où F désigne la largeur minimale d'une ligne semi-conductrice. Ce paramètre définit le procédé technologique de fabrication et détermine les proportions de toutes les autres dimensions sur la puce. Augmenter la densité mémoire grâce à des architectures de cellules innovantes est l'un des leviers essentiels pour les fabricants qui cherchent à progresser en performance tout en rédui

Que sait-on sur Commercialisation de la DRAM serveur d'ici fin 2026 ?

CXMT prévoit de lancer un nouveau produit DRAM serveur basé sur l'architecture 4F² d'ici fin 2026. La DRAM serveur est un composant critique pour les centres de données cloud et les infrastructures d'entreprise à travers le monde. Une mise en œuvre réussie par CXMT dans un produit commercial pourrait considérablement modifier le paysage concurrentiel du marché de la mémoire. Samsung Electronics et SK Hynix, leaders actuels de l'industrie, travaillent également sur la même vague d'innovation en matière de densité mémoire. Cependant, la première sortie réussie d'un produit co

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Zhemal Khamidun — CPO d'Alpina Digital, product manager d'AlpinaGPT. Conçoit des produits IA depuis 2019. Hamidun News est un projet personnel devenu un agrégateur en production avec plus de 6 000 lecteurs.
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