MemSilicon completa el tape-out del chip RRAM MountTai 2026, de 1 Gbit con 1T4R
El 12 de octubre de 2026, la china MemSilicon (铭芯启睿) anunció que ha completado el tape-out del chip RRAM MountTai 2026. Su capacidad es de 1 Gbit, es decir, 128 MB. Utiliza una arquitectura 1T4R: un transistor da servicio a cuatro celdas resistivas. La compañía lo presenta como el primer chip del mundo con esta densidad y capacidad en la vía 1TnR, y lo considera un paso del trabajo de laboratorio a productos comerciales de clase Gbit. • Chip: MountTai 2026, 1 Gbit, 1T4R. • Fase: tape-out, no producción en serie. • Aún no hay datos sobre resistencia a la escritura, proceso de fabricación ni consumo energético.
Procesado por IA desde Jiqizhixin (机器之心); editado por Hamidun News
El 12 de octubre de 2026, la china MemSilicon (铭芯启睿) anunció que ha completado el tape-out de la primera generación del chip RRAM MountTai 2026. Su capacidad es de 1 Gbit, es decir, 128 MB, y su arquitectura 1T4R implica que un transistor da servicio a cuatro celdas resistivas. La compañía lo describe como el primer chip del mundo con esta densidad y capacidad en la vía tecnológica 1TnR. Se trata de una afirmación de la propia MemSilicon: por ahora no hay mediciones independientes.
Por qué en RRAM se comparte el transistor
La RRAM (memoria resistiva de acceso aleatorio) almacena un bit en la resistencia de una película delgada: una resistencia alta representa un estado y una baja, el otro. Es una memoria no volátil, es decir, conserva los datos sin alimentación. En el esquema clásico 1T1R, cada celda tiene su propio transistor selector. El problema es que el transistor suele ocupar más área que la propia celda, y es él quien limita la densidad.
El enfoque 1TnR reparte un mismo transistor entre varias celdas. En la variante 1T4R, un selector atiende a cuatro celdas y en la misma superficie caben más bits. El precio es la complejidad de ingeniería. Hay que suprimir las corrientes de fuga y la interferencia entre celdas vecinas, ajustar con cuidado las tensiones de escritura y lectura, y lidiar con la dispersión de resistencias, que en la RRAM ya es notable de por sí. Por eso el salto de los arrays de laboratorio a la clase Gbit se considera una barrera en sí misma, y no un simple escalado.
Qué se sabe del chip
En el fragmento disponible del comunicado solo se publican los parámetros básicos:
- desarrollador: MemSilicon (铭芯启睿);
- nombre: MountTai 2026 («泰山一号»);
- fecha del anuncio: 12 de octubre de 2026;
- arquitectura: 1T4R, vía tecnológica 1TnR;
- capacidad: 1 Gbit (≈128 MB);
- fase: tape-out, es decir, el proyecto se ha entregado a fabricación;
- posicionamiento: paso de la investigación inicial a productos de clase Gbit.
Es pronto para hablar de un producto terminado. El tape-out significa que el diseño está completo y que el layout ya ha pasado a la fábrica. Todavía hay que obtener el silicio funcional, probarlo y llevarlo a un rendimiento de producción (yield) aceptable. El comunicado no menciona el proceso de fabricación, la fundición, las velocidades de escritura y lectura, el número de ciclos de reescritura, el tiempo de retención de datos ni el consumo energético. Son precisamente estas cifras las que determinarán qué será MountTai en la práctica: una muestra experimental o la base de productos comerciales.
Por qué importa para la IA
En inferencia, el cuello de botella es el movimiento de datos, no la aritmética. Acceder a la memoria externa cuesta bastante más energía que la propia operación con el número. Por eso la industria busca memoria no volátil densa junto a la computación o dentro de ella: almacenar los pesos en el propio chip y calcular en memoria.
Para poner la escala en perspectiva: 128 MB con cuantización de 4 bits equivalen a unos 256 millones de parámetros. Es poco para los LLM grandes, pero para modelos compactos en dispositivos (reconocimiento de voz, visión, asistentes pequeños) el orden de magnitud ya resulta interesante. Además, los chips se pueden combinar, y la memoria conserva los pesos sin alimentación, algo importante para dispositivos que pasan mucho tiempo en reposo.
Qué vigilar a continuación
Para los desarrolladores de IA en el edge y los equipos de hardware, los próximos meses son un periodo de observación, no de planificación. Serán decisivos los datos del silicio que regrese de fábrica:
- resistencia a la reescritura y retención de datos a temperatura elevada;
- tasa de errores de bit y dispersión de características entre celdas;
- latencia de lectura y energía por bit;
- proceso de fabricación, compatibilidad con la lógica y volúmenes de producción disponibles.
Si las cifras se confirman, el 1TnR tendrá un argumento en el debate con otros tipos de memoria embebida. Si no, será un resultado más dentro de la serie de demostraciones de laboratorio. Hasta que se publiquen las mediciones, MountTai 2026 sigue siendo la declaración de un hito tecnológico que, por ahora, solo ha confirmado su propio fabricante.
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