Кэти Вуд обходит память стороной: китайские мощности усилят «порочный» цикл

Кэти Вуд, основательница и глава ARK Investment Management, не планирует вкладываться в сектор микросхем памяти. Причина в «порочных» (vicious) циклах бума и спада, характерных для отрасли. По её словам, проблема может усилиться, поскольку китайские компании расширяют производственные мощности. Об этом 13 октября 2026 года сообщил Bloomberg. Заявление звучит на фоне повышенного спроса на память со стороны ИИ-инфраструктуры, и именно поэтому оно заметно.

Почему память считается самым капризным сегментом

DRAM и NAND остаются близкими к товару: покупатели сравнивают модули в основном по цене и объёму, а различий в архитектуре у них гораздо меньше, чем у процессоров. Предложение растёт ступенями. Новая фабрика строится годами, решение о ней принимается в период высоких цен, а запускается она, когда рынок уже насыщен. Результат — цены падают быстрее, чем производители успевают сократить выпуск.

Последний глубокий спад хорошо это показал. По итогам финансового 2023 года Micron зафиксировала чистый убыток около $5,8 млрд. Чиповое подразделение Samsung в 2023 году ушло в операционный минус примерно на 14,9 трлн вон. Рынок DRAM при этом очень концентрирован: Samsung, SK hynix и Micron вместе контролируют порядка 90% выпуска. Даже такая концентрация не защитила их от обвала цен.

Что добавляет Китай

В тезисе Вуд новый элемент — китайское предложение. В DRAM растёт CXMT, в NAND — YMTC. Обе компании развиваются при заметной государственной поддержке. Если такие игроки принимают решения о загрузке фабрик не только по рентабельности, баланс спроса и предложения становится труднее предсказывать. Ограничения на экспорт оборудования сдерживают их технологический уровень, но не отменяют самого роста объёмов, особенно в массовых сегментах.

В исходной заметке Bloomberg нет деталей: Вуд не называет конкретные компании, цены или сроки. Это общий взгляд на структуру отрасли, а не прогноз по кварталам.

Аргумент оппонентов: ИИ и HBM

Против её позиции работает спрос на память с высокой пропускной способностью (HBM), которая нужна ускорителям для обучения и инференса моделей. Это дорогой, технологически сложный продукт, и SK hynix, Samsung и Micron борются за место в цепочках поставок производителей ускорителей. Но у этого аргумента есть слабое место. HBM зависит от капитальных затрат облачных компаний на ИИ, а они тоже циклические. Кроме того, выпуск HBM потребляет кремниевые пластины, которые иначе шли бы на обычную DRAM, так что сегменты связаны между собой.

Ключевые факты и метрики:

• Кто говорит: Кэти Вуд, ARK Investment Management
• Позиция: сектор памяти обходит стороной
• Аргумент: «порочные» циклы бума и спада, рост китайских мощностей
• Дата сообщения: 13 октября 2026 года
• Контекст 2023 года: убыток Micron около $5,8 млрд за финансовый год, убыток чипового подразделения Samsung около 14,9 трлн вон
• Концентрация рынка DRAM: три компании, около 90% выпуска

Что отслеживать

Инвесторам стоит смотреть не на заголовки об ИИ-спросе, а на цикловые индикаторы: контрактные цены на DRAM и NAND, складские запасы производителей и покупателей, планы капзатрат Samsung, SK hynix и Micron. Отдельный сигнал — доля CXMT и YMTC в поставках и их заявленные инвестиции в новые линии.

Компаниям, которые закупают серверы и накопители для ИИ-кластеров, полезно не закладывать в бюджет текущие цены на память на несколько лет вперёд. Долгосрочные контракты с фиксированными объёмами выгодны на растущем рынке, но на падающем превращаются в переплату. Разумнее сочетать их с частью закупок по спотовым ценам. Позиция Вуд не доказывает, что спад неизбежен. Она напоминает, что у памяти есть история, в которой за дефицитом регулярно приходило перепроизводство.